CCD东营变器在中阶与利基市场保有竞争优势

CCD东营变器在中阶与利基市场保有竞争优势 感光耦合元件(CCD)影像东营变器近年虽被互补性氧化金属半导体(CMOS)抢尽锋头，却仍是天文仪器与光谱仪应用首选，预料未来有望提升在一般性中阶市场与利基市场的应用规模。
    据PhotonicsSpectra网站报导，过去数十年，CCD影像感测元件逐渐被CMOS元件取代，后者已成为手机相机、监控系统等应用的主流选择。CCD感光元件敏感度高、读出杂讯少，也因此主导感光元件产业30余年。
    然而，由于CMOS感光元件技术近年大幅升级，强化解析度、读出速度，降低杂讯、价格下降等优势，导致许多感光元件市场区块从CCD转移至CMOS，包括生命科学、消费市场以及监控设备等等。
    BAESystems、CMOSIS、Sony等公司纷纷砸下重金投资CMOS技术，并大行销，现在已有许多4MP以上、超过50fps，而电子读出杂讯少的感光元件。不过，CCD并非毫无用武之地，CCD技术在要求高敏感度与长时间曝光的应用环境下，无非是******选择。
    例如活体分子影像仰赖微弱的荧光讯号，曝光时间达数分钟甚至数小时，便适合使用CCD感光元件。同样的，需要长时间曝光的天文应用，例如观星也以CCD技术为佳。随着CCD售价持续下降、效能却不变的情况下，可望成为中阶市场热门应用。
    若要回应目前市场需求，CCD东营变器得改善更大波长范围下的敏感度。传统CCD东营变器对于1,100nm以上波长缺乏敏感度，使其无法运用于短波红外线镜头上。
    不过，******InGaAs东营变器使用与CMOS东营变器类似的读出原理，在彻底冷却的情况下，可增强1,100nm以上波长的量子效率、减少干涉现象，提升读出速度及敏感度。
    另外，近年业界亦有号称敏感度******的电子倍增(EM)结构CCD元件技术，简称EMCCD。像是e2vTechnologies、德仪等厂商都推出速度更快、且能提供亚电子读出杂讯性能的东营变器，而安森美半导体(ONSemiconductor)也研发出高解析度EMCCD东营变器。
    PrincetonInstruments近期推出一款高速EMCCD相机，EMCCD东营变器透过影像增强器，更可改善线性化并具单一光子敏感度，成像速度高达10,000fps。不过，尽管这样的EMCCD具单一光子敏感度，在全解析度之下仍比不上CMOS感光元件的画面更新率。
    光谱仪业者HoribaScientific发现，过去光学与成像技术利基市场的需求渐渐增加，目前已在许多领域成为标准。HoribaScientific经理指出，过去常用来作为研究工具与方法的技术，现在已有较一般性的用途，例如品质控管等等。
    由于高效率侦测的需求愈来愈大，也愈来愈多人采CCD提供的多工阵列侦查取代传统的单管道侦测器，厂商也挹注大量资源改善动态范围技术，成为CCD东营变器发展的驱之一。
    而若客户要求加快读取时间又不牺牲敏感度，则可采用时间延滞集成CCD东营变器，这是较早期的CMOS东营变器版本无法取代的CCD关键技术。
    TDI技术常见于产业与远端感测应用，可在高速成像的条件之下提升讯杂比。TDI东营变器可将不同时间分点的感光讯号集成起来，以达******杂讯效能。
    不同厂商用不同方整合TDI技术与CMOS，有的厂商直接整合CCD光感测元件与CMOS影像东营变器，而也有厂商会将CCD光感测元件与CMOS读出芯片制程分开，再将CCD与CMOS用3D-IC技术串接起来。
    目前，推动CCD感光元件技术应用的市场区块，包括光谱仪、超光谱成像、生医成像、显微镜、天文学、量子成像、X-ray成像、机器视觉等应用。
    综言之，CCD东营变器仍坐稳光谱仪与影像研究应用等优势，而虽然相机市场风向转移至CMOS，但是随CCD制作成本降低、技术提升，可望打进一般性中阶市场与利基市场。